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PBHV9115T分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

PBHV9115T

参数属性

PBHV9115T 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 150V 1A TO236AB

功能描述

150 V, 1 A PNP high-voltage low VCEsat transistor

丝印标识

W7

封装外壳

SOT23 / TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

895.97 Kbytes

页面数量

12

生产厂商

NEXPERIA

中文名称

安世

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更新时间

2025-12-4 15:50:00

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PBHV9115T规格书详情

1. General description

PNP high-voltage low VCEsat transistor in a SOT23 (TO-263AB) small Surface-Mounted Device

(SMD) plastic package.

NPN complement PBHV8115T

2. Features and benefits

• High voltage

• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

• High collector current capability IC and ICM

• High collector current gain (hFE) at high IC

• Small SMD plastic package

3. Applications

• LED driver for LED chain module

• LCD backlighting

• High Intensity Discharge (HID) front lighting

• Automotive motor management

• Hook switch for wired telecom

• Switch Mode Power Supply (SMPS)

产品属性

  • 产品编号:

    PBHV9115TLHR

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    300mV @ 100mA,500mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    70 @ 50mA,10V

  • 频率 - 跃迁:

    55MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    TO-236AB

  • 描述:

    TRANS PNP 150V 1A TO236AB

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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