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PBHV9110DA-AU_R1_000A1分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

厂商型号 |
PBHV9110DA-AU_R1_000A1 |
参数属性 | PBHV9110DA-AU_R1_000A1 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 100V 1A SOT23 |
功能描述 | PNP Low Vce(sat) Transistor |
丝印标识 | |
封装外壳 | SOT-23 / TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
文件大小 |
413.93 Kbytes |
页面数量 |
6 页 |
生产厂商 | Pan Jit International Inc. |
企业简称 |
PANJIT【強茂】 |
中文名称 | 強茂股份有限公司官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-6-7 22:30:00 |
人工找货 | PBHV9110DA-AU_R1_000A1价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
PBHV9110DA-AU_R1_000A1规格书详情
PBHV9110DA-AU_R1_000A1属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由強茂股份有限公司制造生产的PBHV9110DA-AU_R1_000A1晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
Features
Silicon PNP epitaxial type
Low Vce(sat) -0.35V(max)@Ic/Ib= -500mA / -50mA
High collector current capability
Excellent DC current gain characteristics
AEC-Q101 qualified
Lead free in compliance with EU RoHS 2.0
Green molding compound as per IEC 61249 Standard
NPN complement: PBHV8110DA-AU
产品属性
更多- 产品编号:
PBHV9110DA-AU_R1_000A1
- 制造商:
Panjit International Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
600mV @ 100mA,1A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
500nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
140 @ 150mA,2V
- 频率 - 跃迁:
100MHz
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:
SOT-23
- 描述:
TRANS PNP 100V 1A SOT23
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
SOT-23 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
询价 | ||
恩XP |
25+ |
25000 |
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恩XP |
21+ |
SMD |
5000 |
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Nexperia/安世 |
22+ |
SOT23 |
90000 |
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NEXPERIA/安世 |
24+ |
SOT-23 |
9600 |
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恩XP |
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SOT23 |
100500 |
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PANJIT/ 强茂 |
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SOT-223 |
30000 |
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PANJIT/强茂 |
20+ |
SOT-223 |
32500 |
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恩XP |
22+ |
SOT23 |
20000 |
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询价 | ||
恩XP |
24+ |
SMD |
2500 |
NXP一级代理商原装进口现货,假一赔十 |
询价 |