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PBHV9110DA-AU_R1_000A1分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

PBHV9110DA-AU_R1_000A1
厂商型号

PBHV9110DA-AU_R1_000A1

参数属性

PBHV9110DA-AU_R1_000A1 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 100V 1A SOT23

功能描述

PNP Low Vce(sat) Transistor
TRANS PNP 100V 1A SOT23

丝印标识

911

封装外壳

SOT-23 / TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

413.93 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 Pan Jit International Inc.
企业简称

PANJIT強茂

中文名称

強茂股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-7 22:30:00

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PBHV9110DA-AU_R1_000A1规格书详情

PBHV9110DA-AU_R1_000A1属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由強茂股份有限公司制造生产的PBHV9110DA-AU_R1_000A1晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

Features

 Silicon PNP epitaxial type

 Low Vce(sat) -0.35V(max)@Ic/Ib= -500mA / -50mA

 High collector current capability

 Excellent DC current gain characteristics

 AEC-Q101 qualified

 Lead free in compliance with EU RoHS 2.0

 Green molding compound as per IEC 61249 Standard

 NPN complement: PBHV8110DA-AU

产品属性

更多
  • 产品编号:

    PBHV9110DA-AU_R1_000A1

  • 制造商:

    Panjit International Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    600mV @ 100mA,1A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    140 @ 150mA,2V

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23

  • 描述:

    TRANS PNP 100V 1A SOT23

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