PBHV9115T分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料

厂商型号	PBHV9115T
参数属性	PBHV9115T 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 150V 1A TO236AB
功能描述	150 V, 1 A PNP high-voltage low VCEsat (BISS) transistor
封装外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
文件大小	239.61 Kbytes
页面数量	13 页
生产厂商	NEXPERIA
中文名称	安世
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更新时间	2025-11-20 23:00:00
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1.1 General description

PNP high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a

SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

NPN complement: PBHV8115T.

1.2 Features

n High voltage

n Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

n High collector current capability IC and ICM

n High collector current gain (hFE) at high IC

n AEC-Q101 qualified

1.3 Applications

n LED driver for LED chain module

n LCD backlighting

n High Intensity Discharge (HID) front lighting

n Automotive motor management

n Hook switch for wired telecom

n Switch mode power supply

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