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PBHV8515QA中文资料150 V, 500 mA NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor数据手册Nexperia规格书
| 厂商型号 |
PBHV8515QA |
| 参数属性 | PBHV8515QA 封装/外壳为3-XDFN 裸露焊盘；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 150V 0.5A DFN1010D-3 |
| 功能描述 | 150 V, 500 mA NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor |
| 封装外壳 | 3-XDFN 裸露焊盘 |
| 制造商 | Nexperia Nexperia B.V. |
| 中文名称 | 安世 安世半导体(中国)有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-25 21:33:00 |
| 人工找货 | PBHV8515QA价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PBHV8515QA规格书详情
描述 Description
NPN high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless ultra small DFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with visible and solderable side pads.
PNP complement: PBHV9515QA.
特性 Features
• High voltage
• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• High collector current capability IC and ICM
• High collector current gain (hFE) at high IC
• Low package height of 0.37 mm
• AEC-Q101 qualified
• Suitable for Automatic Optical Inspection (AOI) of solder joint
应用 Application
• LED driver for LED chain module
• High Intensity Discharge (HID) front lighting
• Automotive motor management
• Switch Mode Power Supply (SMPS)
技术参数
- 制造商编号
：PBHV8515QA
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：DFN1010D-3
- Size (mm)
：1.1 x 1 x 0.37
- Product status
：Production
- Polarity
：NPN
- Ptot [max] (mW)
：540
- Ptot [max] (mW)
：325
- VCEO [max] (V)
：150
- IC [max] (A)
：0.5
- VCEsat [max] (mV)
：200
- hFE [min]
：100
- fT [typ] (MHz)
：75
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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恩XP |
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