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PB5A3JW

Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:743.91 Kbytes 页数:8 Pages

UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD

旭康微无锡旭康微电子有限公司

PB5B5BX

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件:231.5 Kbytes 页数:4 Pages

NIKOSEM

尼克森

PB5C5JW

Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件:303.05 Kbytes 页数:4 Pages

NIKOSEM

尼克森

PB5C5JW

Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:820.58 Kbytes 页数:8 Pages

UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD

旭康微无锡旭康微电子有限公司

PB5E1BX

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件:278.86 Kbytes 页数:4 Pages

NIKOSEM

尼克森

PB5G2JU

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:801.59 Kbytes 页数:8 Pages

UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD

旭康微无锡旭康微电子有限公司

PB5G8JW

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:806.32 Kbytes 页数:8 Pages

UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD

旭康微无锡旭康微电子有限公司

PB5G8JW

Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件:235.82 Kbytes 页数:4 Pages

NIKOSEM

尼克森

PB5SMC33A_1509

Glass passivated junction

文件:1.21151 Mbytes 页数:2 Pages

Central

PBSS5350Z

丝印:PB5350;Package:SC-73;50 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

1. General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power SOT223 (SC-73) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement: PBSS4350Z 2. Features and benefits • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat • High collector current

文件:249.49 Kbytes 页数:12 Pages

NEXPERIA

安世

技术参数

  • Supply Voltage MAX (V):

    200

  • Slew Rate TYP (V/µs):

    100

  • Standby Current MAX (mA):

    25

  • Power Dissipation MAX (W):

    35

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
NIKO-SEM
2015+
DFN2*5
26898
一级代理原装现货
询价
APEX
25+
DIP
18000
原厂直接发货进口原装
询价
恩XP
17+
SOT223
6200
100%原装正品现货
询价
APEX
24+
TO-3
27
询价
TI
25+
BGA
356
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
询价
DISCRETE
20
GS
3080
询价
恩XP
2016+
SOT223
3900
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
询价
恩XP
23+
SOT223
5000
原装正品,假一罚十
询价
TI
24+
BGA
5000
全现原装公司现货
询价
VISHAY
1706+
?
7500
只做原装进口,假一罚十
询价
更多PB5供应商 更新时间2025-10-14 9:01:00