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PB5G8JW

Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件:235.82 Kbytes 页数:4 Pages

NIKOSEM

尼克森

PB5G8JW

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:806.32 Kbytes 页数:8 Pages

UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD

旭康微无锡旭康微电子有限公司

PB5G8JW

MOSFETs

Unikc

旭康微

PB5G8JW

Power MOSFET

NIKO-SEM

尼克森

技术参数

  • Package:

    PDFN 2x2

  • Configuration:

    Dual

  • Type:

    N

  • ESD Diode:

    No

  • Schottky Diode:

    No

  • VDS (V):

    20

  • VGS (±V):

    8

  • ID (A):

    5

  • RDS(ON)mΩmax at 10V:

    /

  • RDS(ON)mΩmax at 4.5V:

    35

  • RDS(ON)mΩmax at 2.5V:

    38

  • RDS(ON)mΩmax at 1.8V:

    55

  • VGS(th) max:

    1

  • Typical Ciss(pF):

    506

  • Typical Coss(pF):

    82

  • Typical Crss(pF):

    66

  • Typical Qg(nC):

    7

  • Typical Qgd(nC):

    2.3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
NK/南科功率
2025+
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更多PB5G8JW供应商 更新时间2025-12-10 14:01:00