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TP8302	文件：604.99 Kbytes Page：6 Pages	HighpowerfactorprimaryfeedbackLEDdriverchipwithintegratedpowertube	TPOWERShenzhen Tianyuan Semiconductor Co., Ltd. 天源中芯深圳天源中芯半导体有限公司	TPOWER
TP8302D	文件：592.06 Kbytes Page：6 Pages	HighpowerfactorprimaryfeedbackLEDdriverchipwithintegratedpowertube	TPOWERShenzhen Tianyuan Semiconductor Co., Ltd. 天源中芯深圳天源中芯半导体有限公司	TPOWER
TPC8302	文件：450.68 Kbytes Page：7 Pages	SiliconPChannelMOSType(L2-MOSVI)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCF8302	文件：273.13 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconPChannelMOSType(U-MOSIV) NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications •Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=44mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=6.2S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=−10μA(max)(VDS=−20V) •Enhancementmode:Vth=−0.5to−1.2V	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCP8302	文件：272.86 Kbytes Page：7 Pages	SiliconPChannelMOSType(U-MOS??	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCP8302	文件：233.59 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconPChannelMOSType(U-MOS?? LithiumIonBatteryApplications NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications •Smallfootprintduetosmallandthinpackage •Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=25mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=14S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=−10μA(max	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCS8302	文件：206.33 Kbytes Page：7 Pages	LithiumIonBatteryApplicationsNotebookPCApplicationsPortableEquipmentApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCS8302	文件：194.26 Kbytes Page：7 Pages	LithiumIonBatteryApplicationsNotebookPCApplicationsPortableEquipmentApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCS8302	文件：369.05 Kbytes Page：7 Pages	LithiumlonBatteryApplicationsNotebookPCApplicationsPortableMachinesandTools	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

技术参数

输出类型：
1-通道（单声道）
不同负载时的最大输出功率 x 通道数：
2.5W x 1 @ 4 欧姆
电压 - 电源：
2 V ~ 5.5 V
特性：
消除爆音，短路和热保护
安装类型：
表面贴装
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
供应商器件封装：
8-MSOP
封装/外壳：
8-TSSOP，8-MSOP（0.118\，3.00mm 宽）

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