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AM2306NE	文件：214.09 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
AMS2306	文件：762.32 Kbytes Page：6 Pages	SuperhighdensitycelldesignforextremelylowRDS(ON)	AMSAdvanced Monolithic Systems 艾迈斯艾迈斯半导体	AMS
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AP2306AGN-HF	文件：112.51 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODE Description AdvancedPowerMOSFETsutilizedadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistance,extremelyefficientandcost-effectivenessdevice. TheSOT-23packageiswidelyusedforallcommercial-industrialapplications. ▼Capableof2.5Vgatedrive ▼Low	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
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AP2306CGTN-HF	文件：102.07 Kbytes Page：4 Pages	Capableof2.5VGateDrive,LowerOn-resistance	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
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AP2306GN	文件：72.9 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description AdvancedPowerMOSFETsutilizedadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistance,extremelyefficientandcost-effectivenessdevice. TheSOT-23packageisuniversallyusedforallcommercial-industrialapplications. ▼Capableof2.5Vgatedrive ▼Low	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP2306GN-HF	文件：105.88 Kbytes Page：4 Pages	Capableof2.5Vgatedrive,Loweron-resistance Description AdvancedPowerMOSFETsutilizedadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistance,extremelyefficientandcost-effectivenessdevice. TheSOT-23packageiswidelyusedforallcommercial-industrialapplications. ▼Capableof2.5Vgatedrive ▼Loweron	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP2306N	文件：1.03553 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AP2306N	文件：72.51 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
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APM2306A	文件：115.65 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •30V/3.5A, RDS(ON)=70mΩ(typ.)@VGS=5V RDS(ON)=42mΩ(typ.)@VGS=10V •SuperHighDenseCellDesign •HighPowerandCurrentHandlingCapability •SOT-23Package Applications •SwitchingRegulators •SwitchingConverters	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APM2306AC-TR	文件：172.35 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •30V/3.5A, RDS(ON)=70mΩ(typ.)@VGS=5V RDS(ON)=42mΩ(typ.)@VGS=10V •SuperHighDenseCellDesign •HighPowerandCurrentHandlingCapability •SOT-23Package Applications •SwitchingRegulators •SwitchingConverters	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APM2306AC-TR	文件：115.65 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •30V/3.5A, RDS(ON)=70mΩ(typ.)@VGS=5V RDS(ON)=42mΩ(typ.)@VGS=10V •SuperHighDenseCellDesign •HighPowerandCurrentHandlingCapability •SOT-23Package Applications •SwitchingRegulators •SwitchingConverters	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APM2306AC-TRL	文件：115.65 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •30V/3.5A, RDS(ON)=70mΩ(typ.)@VGS=5V RDS(ON)=42mΩ(typ.)@VGS=10V •SuperHighDenseCellDesign •HighPowerandCurrentHandlingCapability •SOT-23Package Applications •SwitchingRegulators •SwitchingConverters	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APM2306AC-TU	文件：115.65 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •30V/3.5A, RDS(ON)=70mΩ(typ.)@VGS=5V RDS(ON)=42mΩ(typ.)@VGS=10V •SuperHighDenseCellDesign •HighPowerandCurrentHandlingCapability •SOT-23Package Applications •SwitchingRegulators •SwitchingConverters	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC

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详细参数

型号：
PAM2306GNDYPCA
制造商：
PAM
制造商全称：
PAM
功能描述：
Dual High-Efficiency PWM Step-Down DC-DC Coverter

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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