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AP2306CGN-HF	文件：99.18 Kbytes Page：4 Pages	Capable of 2.5V gate drive, Lower on-resistance 文件：99.18 Kbytes 页数：4 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP2306CGN-HF_14	文件：99.18 Kbytes Page：4 Pages	Lower on-resistance 文件：99.18 Kbytes 页数：4 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP2306CGN-HF_16	文件：99.13 Kbytes Page：5 Pages	Surface Mount Package 文件：99.13 Kbytes 页数：5 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP2306CGTN-HF	文件：102.07 Kbytes Page：4 Pages	Capable of 2.5V Gate Drive, Lower On-resistance 文件：102.07 Kbytes 页数：4 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP2306GN	文件：72.9 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Description Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance, extremely efficient and cost-effectiveness device. The SOT-23 package is universally used for all commercial-industrial applications. ▼ Capable of 2.5V gate drive ▼ Low 文件：72.9 Kbytes 页数：4 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP2306GN	文件：1.035589 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 20 V (D-S) MOSFET 文件：1.035589 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

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更多AP2306CGN-HF供应商更新时间2026-2-10 9:05:00