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P7N60DD2	文件：344.54 Kbytes Page：9 Pages	7A, 600V SUPER JUNCTION MOS POWER TRANSISTOR DESCRIPTION SVSP7N60F(FJD)(D)D2isanN-channelenhancementmodehigh voltagepowerMOSFETsproducedusingSilan’ssuperjunctionMOS technology.Itachieveslowconductionlossandswitchinglosses.It leadsthedesignengineerstotheirpowerconverterswithhigh efficiency,highpowerdens	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士兰微杭州士兰微电子股份有限公司	SILAN
P7N60FD2	文件：344.54 Kbytes Page：9 Pages	7A, 600V SUPER JUNCTION MOS POWER TRANSISTOR DESCRIPTION SVSP7N60F(FJD)(D)D2isanN-channelenhancementmodehigh voltagepowerMOSFETsproducedusingSilan’ssuperjunctionMOS technology.Itachieveslowconductionlossandswitchinglosses.It leadsthedesignengineerstotheirpowerconverterswithhigh efficiency,highpowerdens	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士兰微杭州士兰微电子股份有限公司	SILAN
P7N60FJDD2	文件：344.56 Kbytes Page：9 Pages	7A, 600V SUPER JUNCTION MOS POWER TRANSISTOR DESCRIPTION SVSP7N60F(FJD)(D)D2isanN-channelenhancementmodehigh voltagepowerMOSFETsproducedusingSilan’ssuperjunctionMOS technology.Itachieveslowconductionlossandswitchinglosses.It leadsthedesignengineerstotheirpowerconverterswithhigh efficiency,highpowerdens	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士兰微杭州士兰微电子股份有限公司	SILAN
PHB7N60E	文件：91.64 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOStransistorsAvalancheenergyrated GENERALDESCRIPTION N-channel,enhancementmodefield-effectpowertransistor,intendedforuseinoff-lineswitchedmodepowersupplies,T.V.andcomputermonitorpowersupplies,d.c.tod.c.converters,motorcontrolcircuitsandgeneralpurposeswitchingapplications. ThePHP7N60Eissupplied	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHB7N60E	文件：345.25 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.2Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHP7N60E	文件：91.64 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOStransistorsAvalancheenergyrated GENERALDESCRIPTION N-channel,enhancementmodefield-effectpowertransistor,intendedforuseinoff-lineswitchedmodepowersupplies,T.V.andcomputermonitorpowersupplies,d.c.tod.c.converters,motorcontrolcircuitsandgeneralpurposeswitchingapplications. ThePHP7N60Eissupplied	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHP7N60E	文件：1.10758 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
PHP7N60E	文件：372.24 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.2Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHW7N60	文件：56.22 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelopefeaturinghighavalancheenergycapability,stableoff-statecharacteristics,fastswitchingandhighthermalcyclingperformancewithlowthermalresistance.IntendedforuseinSwitchedModePower	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHW7N60E	文件：91.64 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOStransistorsAvalancheenergyrated GENERALDESCRIPTION N-channel,enhancementmodefield-effectpowertransistor,intendedforuseinoff-lineswitchedmodepowersupplies,T.V.andcomputermonitorpowersupplies,d.c.tod.c.converters,motorcontrolcircuitsandgeneralpurposeswitchingapplications. ThePHP7N60Eissupplied	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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深圳市中福国际管理有限公司	P7N60FI	ST	24+	TO220-3	200000	原装进口正口,支持样品	询价
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