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P70F5EN	文件：312.96 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID=70A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 50V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 3.2mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC con 文件：312.96 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
P70F7R5EN	文件：312.99 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID=70A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 75V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 4.8mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC con 文件：312.99 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
P70FP12SN	文件：316.16 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID= 70A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 120V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =0.0112Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC 文件：316.16 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
P70FP12SNK	文件：316.47 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID= 70A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 120V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =11.2mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c 文件：316.47 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
P70N02LS	文件：315.98 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID= 70A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 25V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =9mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC conve 文件：315.98 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
P70NF03L	文件：463.36 Kbytes Page：15 Pages	N-channel 30V - 0.0075ohm - 70A - D2PAK - I2PAK - TO-220 Low gate charge STripFET TM II Power MOSFET General features ■ Conduction losses reduced ■ Switching losses reduced Description This application specific Power MOSFET is the third genaration of STMicroelectronis unique Single Feature Size™ strip-based process. The resulting transistor shows the best trade-off between on-resistance 文件：463.36 Kbytes 页数：15 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
P700	文件：751.77 Kbytes Page：2 Pages	Clearly identify items with a durable P-touch label 文件：751.77 Kbytes 页数：2 Pages	BROTHER 博艾格	BROTHER
P700000	文件：57.28 Kbytes Page：1 Pages	All Dimension In MM 文件：57.28 Kbytes 页数：1 Pages	E-SWITCH	E-SWITCH
P700001	文件：93.29 Kbytes Page：1 Pages	All Dimension In MM 文件：93.29 Kbytes 页数：1 Pages	E-SWITCH	E-SWITCH
P7004EV	文件：344.38 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：344.38 Kbytes 页数：5 Pages	UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD 旭康微无锡旭康微电子有限公司	UNIKC

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晶体管资料

型号：
P7002
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
视频输出（Vid）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
最大电流允许值：
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD159,BD232,BD410,3DD100B,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
B-21
vtest：
0
htest：
999900
atest：
0
wtest：
0

技术参数

Min Capacitance Tip to Ring (pF)：
10
di/dt @ 110°C (A/μs)：
500
DRM.\>IDRM @ VDRM (μA)：
5
Holding Current (mA)：
120
Iscurr：
800
Package Size：
DO-214AA
Regulatory Requirements：
GR1089 INTER BUILDING
Ipp10x1000：
100
Ipp10x160：
200
Ipp10x560：
150
Ipp10x700：
200
Ipp2x10：
500
Ipp5x310：
201
Ipp5x320：
200
Ipp8x20：
400
Peak Off-State Voltage Tip to Ring (V)：
640
DRM-1\>Pins Tip to Ring：
1-2
Switching Voltage Tip to Ring (V)：
850

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市粤科源兴科技有限公司	P7004EM	NIKO-SEMI	13+	SOT-23	9344	原装分销	询价
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深圳市鹏和科技有限公司	P70N02LR	NIKO	24+	SOT-252-3	5000	全现原装公司现货	询价

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