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PHD50N03LTA	文件：1.01774 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS •OR-ing •Server •DC/DC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
PHP50N03LT	文件：371.69 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=48A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=16mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHP50N03LT	文件：1.13625 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®powerMOSFET •Packagewithlowthermalresistance •100RgandUIStested	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
PHP50N03LT	文件：108.76 Kbytes Page：11 Pages	N-channelTrenchMOStransistorLogiclevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodelogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology. FEATURES •’Trench’technology •Verylowon-stateresistance •Fastswitching •Highthermalcyclingperformance •Lowthermalresistance •Logiclevel	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHP50N03T	文件：59.48 Kbytes Page：7 Pages	TrenchMOStransistorStandardlevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodestandardlevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology.Thedevicefeaturesverylowon-stateresistanceandhasintegralzenerdiodesgivingESDprotectionupto2kV.ItisintendedforuseinDC-DCconvertersa	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHP50N03T	文件：1.13521 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®powerMOSFET •Packagewithlowthermalresistance •100RgandUIStested	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
PJS50N03	文件：227.71 Kbytes Page：6 Pages	30VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
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SDD50N03L	文件：871.1 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●TO-252andTO-251Package.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
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技术参数

Configuration：
Single
Type：
N
Vds(±V)：
25
Vgs(±V)：
20
RDS(on)(mΩmax)at VGS=10V：
10
VGS(th)(max V)：
3
Ciss(pF)：
960
Crss(pF)：
250
Qg(nC)：
22.3
Qgd(nC)：
5

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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