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P50N03LTG	文件：1.13532 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel 30 V (D-S) MOSFET 文件：1.13532 Mbytes 页数：10 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
P50N03LTG(EOL)	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFETs	Unikc 旭康微	Unikc
PHB50N03	文件：108.76 Kbytes Page：11 Pages	N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode logic level field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology. FEATURES • ’Trench’ technology • Very low on-state resistance • Fast switching • High thermal cycling performance • Low thermal resistance • Logic level 文件：108.76 Kbytes 页数：11 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PHB50N03	文件：63.66 Kbytes Page：7 Pages	TrenchMOS transistor Standard level FET GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode standard level field-effect power transistor in a plastic envelope suitable for surface mounting using ’trench’ technology. The device features very low on-state resistance and has integral zener diodes giving ESD protection up to 2kV. It is intended 文件：63.66 Kbytes 页数：7 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PHB50N03LT	文件：108.76 Kbytes Page：11 Pages	N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode logic level field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology. FEATURES • ’Trench’ technology • Very low on-state resistance • Fast switching • High thermal cycling performance • Low thermal resistance • Logic level 文件：108.76 Kbytes 页数：11 Pages	PHI 飞利浦	PHI

技术参数

Configuration：
Single
Type：
N
Vds(±V)：
25
Vgs(±V)：
20
RDS(on)(mΩmax)at VGS=10V：
10
VGS(th)(max V)：
3
Ciss(pF)：
960
Crss(pF)：
250
Qg(nC)：
22.3
Qgd(nC)：
5

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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