N-channel 24V - 120A - TO-220 / D2PAK STripFET TM Power MOSFET

文件：474.32 Kbytes 页数：14 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

丝印：P3007L；Package：TO252；P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Description and Applications This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Backlighting Power Management Functions DC-DC Converters Features Low On-R

文件：448.14 Kbytes 页数：7 Pages

DIODES

美台半导体

丝印：P3007；Package：PDFN3333；P-Channel Enhancement Mode MOSFET

GENERAL FEATURES ® Vos =30V1o =-50 Rosco 8.0mQ @Ves=-10V typ Reson 18m0 @V cs=-4 5V typ

文件：2.05948 Mbytes 页数：5 Pages

TECHPUBLIC

台舟电子

丝印：P3009G；Package：DFNWB2X2-6L-J；30V P-Channel MOSFETs

文件：556.56 Kbytes 页数：5 Pages

FS

丝印：P300BE；Package：HSMT8；Nch 100V 36A Power MOSFET

文件：2.61936 Mbytes 页数：15 Pages

ROHM

罗姆

丝印：P300BH；Package：HSMT8；Nch 100V 39A Power MOSFET

文件：2.73 Mbytes 页数：14 Pages

ROHM

罗姆

4500 V、3000 A 压接式 IGBT

\n优势:\n• Full long term short-on-fail\n• Explosion proofed housing\n• Highest power cycling capability\n• Double side cooling\n• Wide range of clamping force;

Infineon

英飞凌

磁铁接近传感器

Celduc

凡纪继电器

基带语音DS1保护

Littelfuse

力特

包装：散装 类别：电缆，电线 - 管理 配件 描述：MALLEABLE IRON BEAM CLAMP

PANDUIT