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Marking：P3007；Package：PDFN3333；P-Channel Enhancement Mode MOSFET GENERALFEATURES ®Vos=30V1o=-50 Rosco8.0mQ@Ves=-10Vtyp Reson18m0@Vcs=-45Vtyp | TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司 | TECHPUBLIC | ||
Marking：P3007L；Package：TO252；P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET DescriptionandApplications ThisMOSFETisdesignedtominimizetheon-stateresistance RDS(ON))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingit idealforhighefficiencypowermanagementapplications. Backlighting PowerManagementFunctions DC-DCConverters Features LowOn-R | DIODESDiodes Incorporated 美台半导体 | DIODES |
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