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NP24N10CLB	文件：239.31 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffect Transistordesignedforhighcurrentswitching applications. FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=80mΩMAX.(VGS=10V,ID=12A) RDS(on)2	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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PJF24N10	文件：190.85 Kbytes Page：5 Pages	100VN-ChannelEnhancementModeMOSFET	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
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