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NP24N10ELB中文资料PDF规格书

NP24N10ELB
厂商型号

NP24N10ELB

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

239.31 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-14 13:30:00

NP24N10ELB规格书详情

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION

These products are N-channel MOS Field Effect

Transistor designed for high current switching

applications.

FEATURES

•Channel temperature 175 degree rated

• Super low on-state resistance

RDS(on)1 = 80 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 12 A)

RDS(on)2 = 93 mΩ MAX. (VGS = 5.0 V, ID = 10 A)

• Low Ciss: Ciss = 1300 pF TYP.

• Built-in gate protection diode

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