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P100B4848S	文件：1.20857 Mbytes Page：7 Pages	100 W DC-DC Converter P100B-Series ● Wide 4:1 input range ● Efficiency up to 93 ● Adjustable output voltage ● Remote control on / off ● In/Out isolation 2250 VDC ● Input under voltage protection ● Continuous short circuit protection ● Over current protection ● Over voltage protection ● Over temperature protection ● Five 文件：1.20857 Mbytes 页数：7 Pages	HY-LINE	HY-LINE
P100FA7R5EN	文件：332.32 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID= 100A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 75V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 5.0mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c 文件：332.32 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
P100FH4ENK	文件：332.19 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID= 100A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 40V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 2.0mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c 文件：332.19 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
P100FP12SN	文件：332.92 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID= 100A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 120V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.007Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC 文件：332.92 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
P100FP12SNK	文件：333.24 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID= 100A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 120V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 7mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co 文件：333.24 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
P1000A	文件：501.644 Kbytes Page：2 Pages	AXIAL LEADED SILICON RECTIFIER DIODES 文件：501.644 Kbytes 页数：2 Pages	SUNMATE 森美特 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
p1000b	文件：501.644 Kbytes Page：2 Pages	AXIAL LEADED SILICON RECTIFIER DIODES 文件：501.644 Kbytes 页数：2 Pages	SUNMATE 森美特 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
P1000D	文件：501.644 Kbytes Page：2 Pages	AXIAL LEADED SILICON RECTIFIER DIODES 文件：501.644 Kbytes 页数：2 Pages	SUNMATE 森美特 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
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技术参数

Package：
D8x7.5
VRRM：
50 V
IFAV：
10.00 A
Tjmax：
175 °C
VF：
1.05 V
IF：
10.00 A
IFSM：
400.00 A
IR：
10.000 µA
Cj：
pF
VR：
V

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市凌旭科技有限公司	P100	台湾红星	2016+	QFP	20000	只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!	询价
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