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P100FH4ENK

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID= 100A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 40V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 2.0mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c

文件:332.19 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

P100FH4ENK

Power MOSFET

文件:457.17 Kbytes 页数:4 Pages

SHINDENGEN

P100FH4ENK

Power MOSFETs SMD

•SMD\n•Low Ron\n•10V Gate Drive\n•Low Capacitance;

Shindengen

新电元

P10SG-0505ZH52LF

DIP

P1200

DIP

技术参数

  • VDSS (V):

    40

  • VGSS (V):

    ±20

  • ID (A):

    100

  • RDS(on) (typ) (Ω):

    1.6m

  • PT (W):

    175

  • Tch (℃):

    150

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更多P100FH4ENK供应商 更新时间2026-1-29 11:10:00