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RTI-835-H	文件：1.5539 Mbytes Page：8 Pages	IBM-ATCompatibleHigh-PerformanceMultifunctionI/OBoards	INTRONICS Intronics Power, Inc.	INTRONICS
RTI-835-L	文件：1.5539 Mbytes Page：8 Pages	IBM-ATCompatibleHigh-PerformanceMultifunctionI/OBoards	INTRONICS Intronics Power, Inc.	INTRONICS
SB835	文件：23.04 Kbytes Page：1 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER VOLTAGE:20TO60VCURRENT:8.0A FEATURES •Epitaxialconstructionforchip •Highcurrentcapability •Lowforwardvoltagedrop •Lowpowerloss,highefficiency •Highsurgecapability •Hightemperaturesolderingguaranteed: 250°C/10sec/0.375(9.5mm)leadlength at5lbstension	SSE Shanghai Sunrise Electronics	SSE
SB835	文件：1.65449 Mbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERVOLTAGE:20TO60VCURRENT:8.0A VOLTAGE:20TO60VCURRENT:8.0A FEATURE Highcurrentcapability,Lowforwardvoltagedrop Lowpowerloss,highefficiency Highsurgecapability	GULFSEMIGulf Semiconductor 海湾电子海湾电子（山东）有限公司	GULFSEMI
SBD835L	文件：56.15 Kbytes Page：2 Pages	8ASURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features •GuardRingDieConstructionforTransientProtection •LowPowerLoss,HighEfficiency •HighSurgeCapability •HighCurrentCapabilityandVeryLowForwardVoltageDrop •SurgeOverloadRatingto150APeak •PlasticMaterial:ULFlammabilityClassificationRating94V-0	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
SBL835	文件：179.09 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER VOLTAGERANGE:30---100V CURRENT:8.0A FEATURES ◇Metal-Semiconductorjunctionwithguardring ◇Epitaxialconstruction ◇Lowforwardvoltagedrop,lowswitchinglosses ◇Highsurgecapability ◇Foruseinlowvoltage,highfrequencyinvertersfreewheeling,◇Theplastic	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
SBL835	文件：75.14 Kbytes Page：3 Pages	8.0ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
SBL835	文件：82.49 Kbytes Page：2 Pages	LowVFSchottkyBarrierRectifiers FEATURES Metalofsiliconrectifier,majoritycarrierconducton Guardringfortransientprotection Lowpowerloss,highefficiency Highcurrentcapability,lowVF Highsurgecapacity Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewhelling,andpolarityprotec	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司	SIRECTIFIER
SBLF835	文件：209.2 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierRectifiers	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
SBM835L	文件：59.44 Kbytes Page：2 Pages	8ALOWVFSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features •GuardRingDieConstructionforTransientProtection •LowForwardVoltageDrop •ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,FreeWheeling,andPolarityProtectionApplications •PlasticMaterial:ULFlammabilityClassificationRating94V-0	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

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详细参数

型号：
OPA835IDBVT
功能描述：
高速运算放大器 Ultra Low Pwr RRO Neg Rail In VFB Amp
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
通道数量：
1 电压增益
dB：
116 dB
输入补偿电压：
0.5 mV
转换速度：
55 V/us
工作电源电压：
36 V
电源电流：
7.5 mA
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOIC-8
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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