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OPA835IDBVT	文件：2.86391 Mbytes Page：63 Pages	OPAx835 Ultra-Low-Power, Rail-to-Rail Out, Negative Rail In, VFB Op Amp 1 Features • Ultra-Low Power – Supply Voltage: 2.5 V to 5.5 V – Quiescent Current: 250 μA/ch (Typical) – Power Down Mode: 0.5 μA (Typical) • Bandwidth: 56 MHz (AV = 1 V/V) • Slew Rate: 160 V/μs • Rise Time: 10 ns (2 VSTEP) • Settling Time (0.1%): 55 ns (2 VSTEP) • Overdrive Recovery T 文件：2.86391 Mbytes 页数：63 Pages	TI 德州仪器	TI
OPA835IDBVT	文件：2.06661 Mbytes Page：53 Pages	Ultra Low-Power, Rail-to-Rail Out, Negative Rail In, VFB Op Amp 文件：2.06661 Mbytes 页数：53 Pages	NSC 国半	NSC
OPA835IDBVT	文件：1.35435 Mbytes Page：43 Pages	Ultra Low-Power, Rail-to-Rail Out, Negative Rail In, VFB Op Amp 文件：1.35435 Mbytes 页数：43 Pages	TI 德州仪器	TI
OPA835IDBVT	文件：1.76721 Mbytes Page：49 Pages	Ultra Low-Power, Rail-to-Rail Out, Negative Rail In, VFB Op Amp 文件：1.76721 Mbytes 页数：49 Pages	TI 德州仪器	TI
OPA835IDBVT	文件：1.81143 Mbytes Page：51 Pages	Ultra Low-Power, Rail-to-Rail Out, Negative Rail In, VFB Op Amp 文件：1.81143 Mbytes 页数：51 Pages	TI 德州仪器	TI
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OPA835IDBVT.B	文件：2.86391 Mbytes Page：63 Pages	OPAx835 Ultra-Low-Power, Rail-to-Rail Out, Negative Rail In, VFB Op Amp 1 Features • Ultra-Low Power – Supply Voltage: 2.5 V to 5.5 V – Quiescent Current: 250 μA/ch (Typical) – Power Down Mode: 0.5 μA (Typical) • Bandwidth: 56 MHz (AV = 1 V/V) • Slew Rate: 160 V/μs • Rise Time: 10 ns (2 VSTEP) • Settling Time (0.1%): 55 ns (2 VSTEP) • Overdrive Recovery T 文件：2.86391 Mbytes 页数：63 Pages	TI 德州仪器	TI

详细参数

型号：
OPA835IDBVT
功能描述：
高速运算放大器 Ultra Low Pwr RRO Neg Rail In VFB Amp
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
通道数量：
1 电压增益
dB：
116 dB
输入补偿电压：
0.5 mV
转换速度：
55 V/us
工作电源电压：
36 V
电源电流：
7.5 mA
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOIC-8
封装：
Tube

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