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OPB606B	文件：225.26 Kbytes Page：2 Pages	REFLECTIVEOBJECTSENSORS Description: OPB606consistsofaninfraredLightEmittingDiode(LED)andanNPNsiliconphototransistorwhicharemounted“side-by-side”onparallelaxesinablackopaqueplastichousing. TheOPB607consistsofaninfraredLightEmittingDiode(LED)andanNPNsiliconphotodarlingtonwhich	Optek OPTEK Technologies	Optek
OPB606B	文件：1.05174 Mbytes Page：3 Pages	ReflectiveObjectSensor	TTELECTT Electronics. TT电子公司梯梯电子集成制造服务(苏州)有限公司	TTELEC
OPB606C	文件：225.26 Kbytes Page：2 Pages	REFLECTIVEOBJECTSENSORS Description: OPB606consistsofaninfraredLightEmittingDiode(LED)andanNPNsiliconphototransistorwhicharemounted“side-by-side”onparallelaxesinablackopaqueplastichousing. TheOPB607consistsofaninfraredLightEmittingDiode(LED)andanNPNsiliconphotodarlingtonwhich	Optek OPTEK Technologies	Optek
OPB606C	文件：352.73 Kbytes Page：3 Pages	ReflectiveObjectSensor	Optek OPTEK Technologies	Optek
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P606	文件：183.78 Kbytes Page：2 Pages	SMPMALE,PCBEDGEMOUNTTO015STRAIGHTTERMINATION	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
PA606BMG	文件：502.65 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Available •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •100UISTested APPLICATIONS •BatterySwitch •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
PB606BA	文件：449.14 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD 旭康微无锡旭康微电子有限公司	UNIKC
PB606BX	文件：382.16 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	NIKOSEMNIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD. 尼克森尼克森微電子股份有限公司	NIKOSEM
PBPC606	文件：250.84 Kbytes Page：2 Pages	6.0ABRIDGERECTIFIER	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

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详细参数

型号：
OPA606KP
功能描述：
运算放大器 - 运放 Wide-Bandwidth Difet Op Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
通道数量：
4
共模抑制比（最小值）：
63 dB
输入补偿电压：
1 mV
输入偏流（最大值）：
10 pA
工作电源电压：
2.7 V to 5.5 V
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-16
转换速度：
0.89 V/us
关闭：
No
输出电流：
55 mA
最大工作温度：
+ 125 C
封装：
Reel

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更多OPA606KP供应商更新时间2025-7-13 16:12:00

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