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OPA2314AIDGK	文件：1.783 Mbytes Page：36 Pages	3-MHz, Low-Power, Low-Noise, RRIO, 1.8-V CMOS Operational Amplifier 文件：1.783 Mbytes 页数：36 Pages	TI 德州仪器	TI
OPA2314AIDGKR	文件：1.783 Mbytes Page：36 Pages	3-MHz, Low-Power, Low-Noise, RRIO, 1.8-V CMOS Operational Amplifier 文件：1.783 Mbytes 页数：36 Pages	TI 德州仪器	TI
OPA2314AIDGKR	文件：2.03409 Mbytes Page：45 Pages	Operational Amplifier 文件：2.03409 Mbytes 页数：45 Pages	TI 德州仪器	TI
OPA2314AIDGKR	文件：1.4007 Mbytes Page：31 Pages	3-MHz, Low-Power, Low-Noise, RRI/O, 1.8-V CMOS OPERATIONAL AMPLIFIER 文件：1.4007 Mbytes 页数：31 Pages	TI 德州仪器	TI
OPA2314AIDR	文件：1.4007 Mbytes Page：31 Pages	3-MHz, Low-Power, Low-Noise, RRI/O, 1.8-V CMOS OPERATIONAL AMPLIFIER 文件：1.4007 Mbytes 页数：31 Pages	TI 德州仪器	TI
OPA2314AIDR	文件：2.03409 Mbytes Page：45 Pages	Operational Amplifier 文件：2.03409 Mbytes 页数：45 Pages	TI 德州仪器	TI
OPA2314AIDR	文件：1.783 Mbytes Page：36 Pages	3-MHz, Low-Power, Low-Noise, RRIO, 1.8-V CMOS Operational Amplifier 文件：1.783 Mbytes 页数：36 Pages	TI 德州仪器	TI
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OPA2314AIDRBR	文件：2.03409 Mbytes Page：45 Pages	Operational Amplifier 文件：2.03409 Mbytes 页数：45 Pages	TI 德州仪器	TI
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技术参数

Rail-to-rail：
In
GBW (Typ) (MHz)：
3
Slew rate (Typ) (V/us)：
1.5
Vos (offset voltage @ 25 C) (Max) (mV)：
2.5
Iq per channel (Typ) (mA)：
0.15
Vn at 1 kHz (Typ) (nV/rtHz)：
14
Rating：
Catalog
Operating temperature range (C)：
-40 to 125
Offset drift (Typ) (uV/C)：
1
Features：
EMI Hardened
Input bias current (Max) (pA)：
10
CMRR (Typ) (dB)：
80
Output current (Typ) (mA)：
20
Architecture：
CMOS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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