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OPA2314	文件：1.4007 Mbytes Page：31 Pages	3-MHz, Low-Power, Low-Noise, RRI/O, 1.8-V CMOS OPERATIONAL AMPLIFIER 文件：1.4007 Mbytes 页数：31 Pages	TI 德州仪器	TI
OPA2314	文件：1.783 Mbytes Page：36 Pages	3-MHz, Low-Power, Low-Noise, RRIO, 1.8-V CMOS Operational Amplifier 文件：1.783 Mbytes 页数：36 Pages	TI 德州仪器	TI
OPA2314	文件：1.86396 Mbytes Page：36 Pages	3-MHz, Low-Power, Low-Noise, RRIO, 1.8-V CMOS Operational Amplifier 文件：1.86396 Mbytes 页数：36 Pages	TI 德州仪器	TI
OPA2314	文件：1.69114 Mbytes Page：38 Pages	3-MHz, Low-Power, Low-Noise, RRIO, 1.8-V CMOS Operational Amplifier 文件：1.69114 Mbytes 页数：38 Pages	TI 德州仪器	TI
OPA2314	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual, 5.5-V, 3-MHz, 1.8-V min supply, low noise (14-nV/√Hz) operational amplifier OPA314 系列单通道、双通道和四通道运算放大器是新一代低功耗、通用互补金属氧化物半导体 (CMOS) 放大器的典型代表。该器件系列将轨到轨输入和输出摆幅、低静态电流（5 VS 时的典型值为 150µA）与 3MHz 高带宽和极低噪声（1kHz 时为 14nV/√Hz）相结合，广泛应用于要求在成本和性能间达到良好平衡的电池供电应用。低输入偏置电流支持源阻抗高达兆欧级的应用。 OPA314 器件采用稳健耐用的设计，方便电路设计人员使用。该器件具有单位增益稳定的集成 RF/EMI 抑制滤波器，在过驱条件下不会出现反相并且具有高静电放电 (ESD) 保护（4kV 人体模型 (HBM)）。 • 低 IQ：150µA/通道\n• 宽电源电压：1.8V 至 5.5V\n• 低噪声： 1kHz 下为 14nV/√Hz\n• 增益带宽：3MHz\n• 低输入偏置电流：0.2pA\n• 低偏移电压：0.5mV\n• 单位增益稳定\n• 内部射频/电磁干扰 (RF/EMI) 滤波器\n• 扩展温度范围： –40°C 至 125°C;	TI 德州仪器	TI
OPA2314AID	文件：1.783 Mbytes Page：36 Pages	3-MHz, Low-Power, Low-Noise, RRIO, 1.8-V CMOS Operational Amplifier 文件：1.783 Mbytes 页数：36 Pages	TI 德州仪器	TI
OPA2314AID	文件：2.03409 Mbytes Page：45 Pages	Operational Amplifier 文件：2.03409 Mbytes 页数：45 Pages	TI 德州仪器	TI
OPA2314AID	文件：1.4007 Mbytes Page：31 Pages	3-MHz, Low-Power, Low-Noise, RRI/O, 1.8-V CMOS OPERATIONAL AMPLIFIER 文件：1.4007 Mbytes 页数：31 Pages	TI 德州仪器	TI
OPA2314AIDGK	文件：1.4007 Mbytes Page：31 Pages	3-MHz, Low-Power, Low-Noise, RRI/O, 1.8-V CMOS OPERATIONAL AMPLIFIER 文件：1.4007 Mbytes 页数：31 Pages	TI 德州仪器	TI
OPA2314AIDGK	文件：2.03409 Mbytes Page：45 Pages	Operational Amplifier 文件：2.03409 Mbytes 页数：45 Pages	TI 德州仪器	TI

技术参数

Rail-to-rail：
In
GBW (Typ) (MHz)：
3
Slew rate (Typ) (V/us)：
1.5
Vos (offset voltage @ 25 C) (Max) (mV)：
2.5
Iq per channel (Typ) (mA)：
0.15
Vn at 1 kHz (Typ) (nV/rtHz)：
14
Rating：
Catalog
Operating temperature range (C)：
-40 to 125
Offset drift (Typ) (uV/C)：
1
Features：
EMI Hardened
Input bias current (Max) (pA)：
10
CMRR (Typ) (dB)：
80
Output current (Typ) (mA)：
20
Architecture：
CMOS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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