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OPA2314AIDR	文件：1.4007 Mbytes Page：31 Pages	3-MHz, Low-Power, Low-Noise, RRI/O, 1.8-V CMOS OPERATIONAL AMPLIFIER	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)
OPA2314AIDR	文件：2.03409 Mbytes Page：45 Pages	Operational Amplifier	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)
OPA2314AIDR	文件：1.783 Mbytes Page：36 Pages	3-MHz, Low-Power, Low-Noise, RRIO, 1.8-V CMOS Operational Amplifier	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司
OPA2314AIDRBR	文件：1.4007 Mbytes Page：31 Pages	3-MHz, Low-Power, Low-Noise, RRI/O, 1.8-V CMOS OPERATIONAL AMPLIFIER	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)
OPA2314AIDRBR	文件：1.783 Mbytes Page：36 Pages	3-MHz, Low-Power, Low-Noise, RRIO, 1.8-V CMOS Operational Amplifier	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司
OPA2314AIDRBR	文件：2.03409 Mbytes Page：45 Pages	Operational Amplifier	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)
OPA2314AIDRBT	文件：1.4007 Mbytes Page：31 Pages	3-MHz, Low-Power, Low-Noise, RRI/O, 1.8-V CMOS OPERATIONAL AMPLIFIER	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)
OPA2314AIDRBT	文件：2.03409 Mbytes Page：45 Pages	Operational Amplifier	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)
OPA2314AIDRBT	文件：1.783 Mbytes Page：36 Pages	3-MHz, Low-Power, Low-Noise, RRIO, 1.8-V CMOS Operational Amplifier	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司
2314	文件：17.03 Kbytes Page：1 Pages	HighpassFilter	KRKR Electronics, Inc. KR Electronics, Inc.
2314-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
2314-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
2314-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
2314-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
2314-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductorsHorizontalorverticalmount	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
2314-V-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
AM2314N	文件：173.98 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET TheseminiaturesurfacemountMOSFETsutilizeHighCellDensityprocess.LowrDS(on)assuresminimalpowerlossandconservesenergy,makingthisdeviceidealforuseinpowermanagementcircuitry.Typicalapplicationsarepowerswitch,powermanagementinportableandbattery-poweredproductssuc	AnalogPower Analog Power
AM2314NE	文件：339.36 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel20-V(D-S)MOSFET KeyFeatures: •LowrDS(on)trenchtechnology •Lowthermalimpedance •Fastswitchingspeed TypicalApplications: •WhiteLEDboostconverters •AutomotiveSystems •IndustrialDC/DCConversionCircuits	AnalogPower Analog Power
AP2314GN	文件：69.7 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description AdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOT-23Spackageiswidelypreferredforcommercial-industrialsurfacemountapplicationsandsuitedforlowvoltageapplicationssuchasDC/	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司
AP2314GN-HF	文件：101.24 Kbytes Page：4 Pages	Capableof2.5Vgatedrive,Loweron-resistance Description AdvancedPowerMOSFETsutilizedadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistance,extremelyefficientandcost-effectivenessdevice. TheSOT-23packageiswidelyusedforcommercial-industrialapplications. ▼Capableof2.5Vgatedrive ▼Loweron-res	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司

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详细参数

型号：
OPA2314AIDR
功能描述：
运算放大器 - 运放 Dual,3MHz,Low-Pwr, Low-Noise,RRIO,1.8V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
通道数量：
4
共模抑制比（最小值）：
63 dB
输入补偿电压：
1 mV
输入偏流（最大值）：
10 pA
工作电源电压：
2.7 V to 5.5 V
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-16
转换速度：
0.89 V/us
关闭：
No
输出电流：
55 mA
最大工作温度：
+ 125 C
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市威尔健半导体有限公司	OPA2314AIDR	TI	23+	SMD	323984	原厂很远现货很近,只做正品	询价
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更多OPA2314AIDR供应商更新时间2024-4-23 11:00:00

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