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OPA2322AIDRGT	文件：1.06757 Mbytes Page：29 Pages	20-MHz, Low-Noise, 1.8-V, RRI/O, CMOS Operational Amplifier with Shutdown	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
OPA2322AIDRGT	文件：1.92589 Mbytes Page：38 Pages	CMOS Operational Amplifier with Shutdown	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
OPA2322AIDRGT	文件：1.43015 Mbytes Page：34 Pages	20-MHz, Low-Noise, 1.8-V, RRI/O, CMOS Operational Amplifier with Shutdown	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
2322	文件：21.13 Kbytes Page：1 Pages	BandpassFilter	KRKR Electronics, Inc. KR Electronics, Inc.	KR
2322-H	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
2322-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
2322-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
2322-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
2322-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductorsHorizontalorverticalmount	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
2322-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
AIC2322	文件：264.15 Kbytes Page：9 Pages	2A550k/1.1MHzSynchronousPWM	AIC AIC	AIC
AM2322N	文件：246.89 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
AP2322GN	文件：1.183 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFET	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AP2322GN	文件：69 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP2322GN-HF	文件：1.41093 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFET	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AP2322GN-HF	文件：96.75 Kbytes Page：4 Pages	Capableof1.8Vgatedrive,SimpleDriveRequirement	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
APM2322	文件：161.57 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •20V/1.5A,RDS(ON)=195mΩ(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=295mΩ(typ.)@VGS=2.5V •SuperHighDenseCellDesignforExtremelyLowRDS(ON) •ReliableandRugged •SOT-23Package Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBatteryPower	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APM2322A	文件：113.26 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •20V/1.5A, RDS(ON)=195mΩ(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=295mΩ(typ.)@VGS=2.5V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBatteryPoweredSystems.	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APM2322AC-TR	文件：113.26 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •20V/1.5A, RDS(ON)=195mΩ(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=295mΩ(typ.)@VGS=2.5V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBatteryPoweredSystems.	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APM2322AC-TR	文件：161.57 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •20V/1.5A,RDS(ON)=195mΩ(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=295mΩ(typ.)@VGS=2.5V •SuperHighDenseCellDesignforExtremelyLowRDS(ON) •ReliableandRugged •SOT-23Package Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBatteryPower	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC

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详细参数

型号：
OPA2322AIDRGT
功能描述：
运算放大器 - 运放 20MHz,Low Noise,1.8V RRIO,CMOS Op Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
通道数量：
4
共模抑制比（最小值）：
63 dB
输入补偿电压：
1 mV
输入偏流（最大值）：
10 pA
工作电源电压：
2.7 V to 5.5 V
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-16
转换速度：
0.89 V/us
关闭：
No
输出电流：
55 mA
最大工作温度：
+ 125 C
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	OPA2322AIDRGT	Texas Instruments	24+	8-WFDFN 裸露焊盘	25000	in stock线性IC-原装正品	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	OPA2322AIDRGT	TI	22+	SON8	65568	代理授权直销,原装现货,长期稳定供应	询价
深圳市正纳电子有限公司	OPA2322AIDRGT	TI/德州仪器	22+	QFN-8	2000	保证原装正品深圳现货	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	OPA2322AIDRGT	TI(德州仪器)	23+	SON-8-EP(3x3)	7969	支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。	询价
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更多OPA2322AIDRGT供应商更新时间2024-5-16 14:14:00

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