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NXH80T120L2Q0数据手册分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF

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厂商型号

NXH80T120L2Q0

参数属性

NXH80T120L2Q0 封装/外壳为模块;包装为托盘托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:IGBT MODULE 1200V 65A 146W PIM20

功能描述

功率集成模块(PIM)T型NPC 1200V 80A IGBT,600V 50A IGBT
IGBT MODULE 1200V 65A 146W PIM20

封装外壳

模块

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-4 23:00:00

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NXH80T120L2Q0规格书详情

描述 Description

This high−density, power integrated module (PIM) combines high−performance IGBTs with rugged anti−parallel diodes for sine wave inverter applications.

特性 Features

• High speed 1200V and 650V IGBTs with low VCESAT
• Improved efficiency
• Options with pre-applied thermal interface material (TIM) andwithout pre-applied TIM
• Simpler mounting process
• Options with press-fit pins and solder pins
• Wider choices for module mounting process

应用 Application

• Solar Inverters
• UPS inverters
• Solar String Inverters

简介

NXH80T120L2Q0属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的NXH80T120L2Q0晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :NXH80T120L2Q0

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Configuration

    :T-Type NPC Inverter

  • VBR Max (V)

    :1200

  • Rated Current (A)

    :80

  • VCE(sat) Typ (V)

    :2.1

  • VF Typ (V)

    :2.8

  • Application

    :Industrial

  • Package Type

    :PIM-20/Q0PACK

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