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NXH50M65L4Q1PTG分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF中文资料

| 厂商型号 |
NXH50M65L4Q1PTG |
| 参数属性 | NXH50M65L4Q1PTG 封装/外壳为模块;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:6KW H6.5 50A Q1PACK PRESS-FIT PI |
| 功能描述 | Q1PACK Module |
| 封装外壳 | 模块 |
| 文件大小 |
711.98 Kbytes |
| 页面数量 |
13 页 |
| 生产厂商 | ONSEMI |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-1 17:50:00 |
| 人工找货 | NXH50M65L4Q1PTG价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
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NXH50M65L4Q1PTG规格书详情
NXH50M65L4Q1PTG属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由安森美半导体制造生产的NXH50M65L4Q1PTG晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。
This high−density, integrated power module combines
high−performance IGBTs with rugged anti−parallel diodes.
特性 Features
• Extremely Efficient Trench with Fieldstop Technology
• Low Switching Loss Reduces System Power Dissipation
• Module Design Offers High Power Density
• Low Inductive Layout
• Q1PACK Packages with Solder and Pressfit Pins
Typical Applications
• Solar Inverters
• Uninterruptable Power Supplies
产品属性
更多- 产品编号:
NXH50M65L4Q1PTG
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块
- 包装:
散装
- IGBT 类型:
沟槽型场截止
- 配置:
全桥
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.22V @ 15V,50A
- 输入:
标准
- NTC 热敏电阻:
是
- 工作温度:
175°C(TJ)
- 安装类型:
底座安装
- 封装/外壳:
模块
- 供应商器件封装:
53-PIM/Q2PACK(93x47)
- 描述:
6KW H6.5 50A Q1PACK PRESS-FIT PI
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
24+ |
NA |
25000 |
ON全系列可订货 |
询价 | ||
恩XP |
22+ |
13WLCSP (2.8x2.74) |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
SMD |
15600 |
电可擦除可编程只读存储器 |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
13-XFBGA,WLCSP |
5000 |
只做原装,假一赔十 |
询价 | ||
ON-SEMI |
22+ |
N/A |
1440 |
只做原装正品 |
询价 | ||
SAMYOUNG |
10 |
询价 | |||||
恩XP |
2447 |
WLCSP-13(2.8x2.74) |
315000 |
2000个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货, |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
24000 |
原装正品现货,实单可谈,量大价优 |
询价 | |||
恩XP |
24+ |
con |
10000 |
查现货到京北通宇商城 |
询价 | ||
恩XP |
21+ |
48-VFBGA |
5280 |
进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营 |
询价 |

