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NXH160T120L2Q2F2S1G分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF中文资料

厂商型号 |
NXH160T120L2Q2F2S1G |
参数属性 | NXH160T120L2Q2F2S1G 封装/外壳为模块;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:PIM POWER MODULE |
功能描述 | Split T-Type NPC Power Module |
丝印标识 | |
封装外壳 | Q2PACK-Case180AK / 模块 |
文件大小 |
296.95 Kbytes |
页面数量 |
14 页 |
生产厂商 | ONSEMI |
中文名称 | 安森美半导体 |
网址 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-10-12 16:30:00 |
人工找货 | NXH160T120L2Q2F2S1G价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
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NXH160T120L2Q2F2S1G规格书详情
NXH160T120L2Q2F2S1G属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由安森美半导体制造生产的NXH160T120L2Q2F2S1G晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。
产品属性
更多- 产品编号:
NXH160T120L2Q2F2S1G
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块
- 包装:
托盘
- 配置:
三级反相器
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.7V @ 15V,160A
- 输入:
标准
- NTC 热敏电阻:
是
- 工作温度:
-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
底座安装
- 封装/外壳:
模块
- 供应商器件封装:
56-PIM/Q2PACK(93x47)
- 描述:
PIM POWER MODULE
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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