首页>NXH160T120L2Q2F2S1G>规格书详情

NXH160T120L2Q2F2S1G分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF中文资料

NXH160T120L2Q2F2S1G
厂商型号

NXH160T120L2Q2F2S1G

参数属性

NXH160T120L2Q2F2S1G 封装/外壳为模块;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:PIM POWER MODULE

功能描述

Split T-Type NPC Power Module
PIM POWER MODULE

丝印标识

NXH160T120L2Q2F2S1G

封装外壳

Q2PACK-Case180AK / 模块

文件大小

296.95 Kbytes

页面数量

14

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

原厂下载下载地址一下载地址二到原厂下载

更新时间

2025-8-1 23:00:00

人工找货

NXH160T120L2Q2F2S1G价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

NXH160T120L2Q2F2S1G规格书详情

NXH160T120L2Q2F2S1G属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由安森美半导体公司制造生产的NXH160T120L2Q2F2S1G晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    NXH160T120L2Q2F2S1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块

  • 包装:

    托盘

  • 配置:

    三级反相器

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.7V @ 15V,160A

  • 输入:

    标准

  • NTC 热敏电阻:

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    模块

  • 供应商器件封装:

    56-PIM/Q2PACK(93x47)

  • 描述:

    PIM POWER MODULE

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON(安森美)
24+
标准封装
15948
全新原装正品/价格优惠/质量保障
询价
恩XP
24+
1476
原装现货,免费供样,技术支持,原厂对接
询价
ON
24+
NA
25000
ON全系列可订货
询价
ON(安森美)
23+
13815
公司只做原装正品,假一赔十
询价
ON-SEMI
22+
N/A
5832
原装正品 香港现货
询价
恩XP
1938+
NA
2162
原装正品现货,德为本,正为先,通天下!
询价
ON
23+
原厂原封
20
订货1周 原装正品
询价
恩XP
25+
25000
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票!
询价
ONSEMI
22
SOP12
45000
全新、原装
询价
onsemi
22+
Tray
500
只有原装
询价