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NX6350EP	文件：702.19 Kbytes Page：7 Pages	LASER DIODE 1 270/1 290/1 310/1 330 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE FOR 40GBASE-LR4 APPLICATION DESCRIPTION The NX6350EP series is a 1 270/1 290/1 310/1 330 nm Multiple Quantum Well (MQW) structured Distributed Feed-Back (DFB) laser diode with InGaAs monitor PIN-PD. APPLICATIONS • 40GBASE-LR4 • Bi-D 文件：702.19 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NX6350EP	文件：1.01345 Mbytes Page：6 Pages	LASER DIODE 1 270/1 290/1 310/1 330 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE FOR 40GBASE-LR4 APPLICATION 文件：1.01345 Mbytes 页数：6 Pages	CEL	CEL
NX6350EP27	文件：702.19 Kbytes Page：7 Pages	LASER DIODE 1 270/1 290/1 310/1 330 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE FOR 40GBASE-LR4 APPLICATION DESCRIPTION The NX6350EP series is a 1 270/1 290/1 310/1 330 nm Multiple Quantum Well (MQW) structured Distributed Feed-Back (DFB) laser diode with InGaAs monitor PIN-PD. APPLICATIONS • 40GBASE-LR4 • Bi-D 文件：702.19 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NX6350EP29	文件：702.19 Kbytes Page：7 Pages	LASER DIODE 1 270/1 290/1 310/1 330 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE FOR 40GBASE-LR4 APPLICATION DESCRIPTION The NX6350EP series is a 1 270/1 290/1 310/1 330 nm Multiple Quantum Well (MQW) structured Distributed Feed-Back (DFB) laser diode with InGaAs monitor PIN-PD. APPLICATIONS • 40GBASE-LR4 • Bi-D 文件：702.19 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NX6350EP31	文件：702.19 Kbytes Page：7 Pages	LASER DIODE 1 270/1 290/1 310/1 330 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE FOR 40GBASE-LR4 APPLICATION DESCRIPTION The NX6350EP series is a 1 270/1 290/1 310/1 330 nm Multiple Quantum Well (MQW) structured Distributed Feed-Back (DFB) laser diode with InGaAs monitor PIN-PD. APPLICATIONS • 40GBASE-LR4 • Bi-D 文件：702.19 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NX6350EP33	文件：702.19 Kbytes Page：7 Pages	LASER DIODE 1 270/1 290/1 310/1 330 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE FOR 40GBASE-LR4 APPLICATION DESCRIPTION The NX6350EP series is a 1 270/1 290/1 310/1 330 nm Multiple Quantum Well (MQW) structured Distributed Feed-Back (DFB) laser diode with InGaAs monitor PIN-PD. APPLICATIONS • 40GBASE-LR4 • Bi-D 文件：702.19 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NX6350EP_15	文件：138.11 Kbytes Page：7 Pages	LASER DIODE 1 270/1 290/1 310/1 330 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE 文件：138.11 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NX6350EP27-AZ	文件：1.01345 Mbytes Page：6 Pages	LASER DIODE 1 270/1 290/1 310/1 330 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE FOR 40GBASE-LR4 APPLICATION 文件：1.01345 Mbytes 页数：6 Pages	CEL	CEL
NX6350EP29-AZ	文件：1.01345 Mbytes Page：6 Pages	LASER DIODE 1 270/1 290/1 310/1 330 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE FOR 40GBASE-LR4 APPLICATION 文件：1.01345 Mbytes 页数：6 Pages	CEL	CEL
NX6350EP31-AZ	文件：1.01345 Mbytes Page：6 Pages	LASER DIODE 1 270/1 290/1 310/1 330 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE FOR 40GBASE-LR4 APPLICATION 文件：1.01345 Mbytes 页数：6 Pages	CEL	CEL

技术参数

Target application：
10G BASE LR/LW
Tc (℃) min.：
-5
Tc (℃) max.：
85
Tstg (°C) min.：
-40
Tstg (°C) max.：
95
Ith (mA) typ.：
8
λp (nm) typ.：
1330
Pf (mW)/Po (mW) min.：
8.5
Production Status：
Mass Production
Remarks：
FL=6.15mm

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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