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NX6350EP29

LASER DIODE

1270/1290/1310/1330nmAlGaInAsMQW-DFBLASERDIODE FOR40GBASE-LR4APPLICATION DESCRIPTION TheNX6350EPseriesisa1270/1290/1310/1330nmMultipleQuantum Well(MQW)structuredDistributedFeed-Back(DFB)laserdiodewith InGaAsmonitorPIN-PD. APPLICATIONS •40GBASE-LR4 •Bi-D

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NX6350EP29-AZ

LASER DIODE 1 270/1 290/1 310/1 330 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE FOR 40GBASE-LR4 APPLICATION

CEL

California Eastern Laboratories

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更多NX6350EP29供应商 更新时间2024-5-24 17:22:00