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NX6350GP29	文件：694.5 Kbytes Page：7 Pages	LASER DIODE 1270/1290/1310/1330nmAlGaInAsMQW-DFBLASERDIODE FOR40GBASE-LR4&10Gb/sE-PONONUAPPLICATION DESCRIPTION TheNX6350GPseriesisa1270/1290/1310/1330nmMultipleQuantum Well(MQW)structuredDistributedFeed-Back(DFB)laserdiodewith InGaAsmonitorPIN-PD. APPLICATIONS •	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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LASER DIODE

1270/1290/1310/1330nmAlGaInAsMQW-DFBLASERDIODE FOR40GBASE-LR4&10Gb/sE-PONONUAPPLICATION DESCRIPTION TheNX6350GPseriesisa1270/1290/1310/1330nmMultipleQuantum Well(MQW)structuredDistributedFeed-Back(DFB)laserdiodewith InGaAsmonitorPIN-PD. APPLICATIONS •

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1 270/1 290/1 310/1 330 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE

CEL

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深圳市力拓辉电子有限公司	NX6360AA27-SA-A	Renesas	21+	-	40	全新原装鄙视假货	询价
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更多NX6350GP29供应商更新时间2025-7-28 16:36:00

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