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NX6350EP29中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

NX6350EP29
厂商型号

NX6350EP29

功能描述

LASER DIODE

文件大小

702.19 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 Renesas Technology Corp
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-9-23 20:00:00

NX6350EP29规格书详情

1 270/1 290/1 310/1 330 nm AlGaInAs MQW-DFB LASER DIODE

FOR 40GBASE-LR4 APPLICATION

DESCRIPTION

The NX6350EP series is a 1 270/1 290/1 310/1 330 nm Multiple Quantum

Well (MQW) structured Distributed Feed-Back (DFB) laser diode with

InGaAs monitor PIN-PD.

APPLICATIONS

• 40GBASE-LR4

• Bi-Directional 10G SFP+ (CPRI,10G-Ethernet)

FEATURES

• Optical output power PO = 8.5 mW

• Low threshold current Ith = 8 mA

• Differential efficiency ηd = 0.35 W/A

• Wide operating temperature range TC = −5 to +85°C

• InGaAs monitor PIN-PD

• CAN package φ 5.6 mm

• Focal point 6.2 mm

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