NX6008NBK资料datasheet下载批发供应安世-114ic电子网

首页 >NX6008NBK>规格书列表

型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
NX6008NBK	文件：278.72 Kbytes Page：14 Pages	丝印：SQ；Package：SOT23；60 V, N-channel Trench MOSFET description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. Features and benefits • Low threshold voltage • Very fast switching • Trench MOSFET technology • ElectroStatic Discharge (ESD) 文件：278.72 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
NX6008NBKS	文件：288.45 Kbytes Page：14 Pages	丝印：G6；Package：SOT363；60 V, dual N-channel Trench MOSFET description Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT363 (SC-88) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. Features and benefits • Low threshold voltage • Very fast switching • Trench MOSFET technology • ElectroSta 文件：288.45 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
NX6008NBKW	文件：278.26 Kbytes Page：14 Pages	丝印：3C；Package：SOT323；60 V, N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT323 (SC-70) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Low threshold voltage • Very fast switching • Trench MOSFET technology • Ele 文件：278.26 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
NX6008NBK	文件：300 bytes Page：1 Pages	60 V, N-channel Trench MOSFET N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Low threshold voltage\n• Very fast switching\n• Trench MOSFET technology\n• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM;	Nexperia 安世	Nexperia
NX6008NBKS	文件：300 bytes Page：1 Pages	60 V, dual N-channel Trench MOSFET Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT363 (SC-88) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Low threshold voltage\n• Very fast switching\n• Trench MOSFET technology\n• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM;	Nexperia 安世	Nexperia
NX6008NBKW	文件：300 bytes Page：1 Pages	60 V, N-channel Trench MOSFET N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT323 (SC-70) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Low threshold voltage\n• Very fast switching\n• Trench MOSFET technology\n• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM;	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package name：
SOT23
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
60
VGS [max] (V)：
8
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
2800
RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)：
3000
integrated gate-source ESD protection diodes：
Y
VESD HBM (V)：
2000
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
0.27
QGD [typ] (nC)：
0.11
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
0.5
Ptot [max] (W)：
0.27
VGSth [typ] (V)：
0.6
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
27
Coss [typ] (pF)：
2.8999999
Release date：
2021-08-18

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市南科功率半导体有限公司	NX6008NBK	NK/南科功率	2025+	SOT23	3200	国产南科平替供应大量	询价
深圳市盈慧通电子有限公司	NX6008NBK	NEXPERIA/安世	2511	SOT23	360000	电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价	询价
上海专毅电子科技有限公司	NX6008NBKSX	NEXPERIA	2022	NA	100000	全新,原装现货于小姐17621580780 同微信	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	NX6008NBKSX		24+	N/A	51000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	NX6008NBKSX	Nexperia USA Inc.	25+	6-TSSOP SC-88 SOT-363	9350	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
深圳市鑫远鹏科技有限公司	NX6008NBKWX	鑫远鹏	25+	NA	5000	价优秒回原装现货	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	NX6008NBKR	Nexperia	25+	SOT-23 (SC-59,TO-236)	20948	样件支持,可原厂排单订货!	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	NX6008NBKR	Nexperia	25+	SOT-23 (SC-59,TO-236)	21000	正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐	询价
深圳市宇创芯科技有限公司	NX6020CAKS	NEXPERIA/安世	24+	SOT-363	9600	原装现货,优势供应,支持实单!	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	NX6020CAKS	NEXPERIA/安世	23+	SOT363	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价

更多NX6008NBK供应商更新时间2026-2-9 14:01:00

技术参数

相关规格书

相关库存