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NX2301P	文件：916.49 Kbytes Page：16 Pages	Marking：MG；Package：SOT23；20 V, 2 A P-channel Trench MOSFET 1.1Generaldescription P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmall SOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusing TrenchMOSFETtechnology. 1.2Featuresandbenefits 1.8VRDSonratedforLowVoltageGateDrive Veryfastswitching TrenchMOSF	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
NX2301P	文件：476.29 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitch •PASwitch •DC/DCConverters	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NX2301P	文件：370.25 Kbytes Page：16 Pages	Marking：MG-；Package：SOT-23；20 V, 2 A P-channel Trench MOSFET	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
NX2301P	文件：318.47 Kbytes Page：3 Pages	20 V, 2 A P-channel Trench MOSFET	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
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OPA2301	文件：1.16102 Mbytes Page：27 Pages	OPERATIONALAMPLIFIER	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
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OPA2301AIDGKR	文件：498.93 Kbytes Page：19 Pages	Low-Noise,High-Speed,16-BitAccurate,CMOSOPERATIONALAMPLIFIER	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
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详细参数

型号：
NX2301P
功能描述：
MOSFET P-CH -20 V -2 A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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