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NX2301P	文件：476.29 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Load Switch • PA Switch • DC/DC Converters 文件：476.29 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NX2301P	文件：916.49 Kbytes Page：16 Pages	丝印：MG；Package：SOT23；20 V, 2 A P-channel Trench MOSFET 1.1 General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits 1.8 V RDSon rated for Low Voltage Gate Drive Very fast switching Trench MOSF 文件：916.49 Kbytes 页数：16 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
NX2301P	文件：370.25 Kbytes Page：16 Pages	丝印：MG-；Package：SOT-23；20 V, 2 A P-channel Trench MOSFET 文件：370.25 Kbytes 页数：16 Pages	PHI 飞利浦	PHI
NX2301P	文件：318.47 Kbytes Page：3 Pages	20 V, 2 A P-channel Trench MOSFET 文件：318.47 Kbytes 页数：3 Pages	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
NX2301P	文件：300 bytes Page：1 Pages	20 V, 2 A P-channel Trench MOSFET P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • 1.8 V RDSon rated for Low Voltage Gate Drive\n• AEC-Q101 qualified\n• Trench MOSFET technology\n• Very fast switching;	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package name：
TO-236AB
Product status：
Production
Channel type：
P
Number of transistors：
1
V_DS [max] (V)：
-20
R_DSon [max] @ V_GS = 4.5 V (mΩ)：
120
R_DSon [max] @ V_GS = 2.5 V (mΩ)：
190
T_j [max] (°C)：
150
I_D [max] (A)：
-2
Q_GD [typ] (nC)：
0.9
Q_G(tot) [typ] @ V_GS = 4.5 V (nC)：
4.5
P_tot [max] (W)：
0.4
V_GSth [typ] (V)：
-0.75
Automotive qualified：
Y
C_iss [typ] (pF)：
380
C_oss [typ] (pF)：
135
Date：
2011-01-25

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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