NX2301P中文资料安世数据手册PDF规格书
NX2301P规格书详情
1.1 General description
P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small
SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using
Trench MOSFET technology.
1.2 Features and benefits
1.8 V RDSon rated for Low Voltage Gate Drive
Very fast switching
Trench MOSFET technology
AEC-Q101 qualified
1.3 Applications
Relay driver
High-speed line driver
High-side loadswitch
Switching circuits
产品属性
- 型号：
NX2301P
- 功能描述：
MOSFET P-CH -20 V -2 A
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
NA |
120524 |
原装正品,现货库存,1小时内发货 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
NA |
80000 |
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NEXPERIA/安世 |
25+ |
SOT-23 |
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NEXPERIA/安世 |
23+ |
SOT-23 |
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NEXPERIA/安世 |
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SOT23 |
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恩XP |
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SOT23-3 |
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恩XP |
18+ |
SOT-23-3 |
216000 |
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恩XP |
24+ |
SOT-23 |
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恩XP |
25+ |
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恩XP |
24+ |
SMD |
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询价 |
