NX2301P数据手册Nexperia中文资料规格书
NX2301P规格书详情
描述 Description
P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
特性 Features
• 1.8 V RDSon rated for Low Voltage Gate Drive
• AEC-Q101 qualified
• Trench MOSFET technology
• Very fast switching
应用 Application
• High-side loadswitch
• High-speed line driver
• Relay driver
• Switching circuits
技术参数
- 制造商编号
：NX2301P
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：TO-236AB
- Product status
：Production
- Channel type
：P
- Number of transistors
：1
- V_DS [max] (V)
：-20
- R_DSon [max] @ V_GS = 4.5 V (mΩ)
：120
- R_DSon [max] @ V_GS = 2.5 V (mΩ)
：190
- T_j [max] (°C)
：150
- I_D [max] (A)
：-2
- Q_GD [typ] (nC)
：0.9
- Q_G(tot) [typ] @ V_GS = 4.5 V (nC)
：4.5
- P_tot [max] (W)
：0.4
- V_GSth [typ] (V)
：-0.75
- Automotive qualified
：Y
- C_iss [typ] (pF)
：380
- C_oss [typ] (pF)
：135
- Date
：2011-01-25
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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