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NVMFD020N06C	文件：254.21 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET - Power, Dual N-Channel, DUAL SO8FL 60 V, 20.3 m, 27 A Features •SmallFootprint(5x6mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses •NVMFWD020N06C−WettableFlankOptionforEnhancedOpticalInspection •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,Hal	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVMFD020N06CT1G	文件：254.21 Kbytes Page：7 Pages	Marking：20DN6C；Package：SO8FL；MOSFET - Power, Dual N-Channel, DUAL SO8FL 60 V, 20.3 m, 27 A Features •SmallFootprint(5x6mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses •NVMFWD020N06C−WettableFlankOptionforEnhancedOpticalInspection •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,Hal	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVMFS020N06C	文件：187.41 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET-Power,SingleN-Channel,SO-8FL60V,19.6m,28A Features •SmallFootprint(5x6mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses •NVMFWS020N06C−WettableFlankOptionforEnhancedOpticalInspection •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,Hal	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVTFS020N06C	文件：280.16 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET-Power,SingleN-Channel,8FL60V,20.3m,27A Features •SmallFootprint(3.3x3.3mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses •NVTFWS020N06C−WettableFlankOptionforEnhancedOptical Inspection •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Fr	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVTFS020N06CTAG	文件：280.16 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET-Power,SingleN-Channel,8FL60V,20.3m,27A Features •SmallFootprint(3.3x3.3mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses •NVTFWS020N06C−WettableFlankOptionforEnhancedOptical Inspection •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Fr	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVTFWS020N06CTAG	文件：280.16 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET-Power,SingleN-Channel,8FL60V,20.3m,27A Features •SmallFootprint(3.3x3.3mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses •NVTFWS020N06C−WettableFlankOptionforEnhancedOptical Inspection •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Fr	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
PRM020N06D	文件：859.03 Kbytes Page：8 Pages	60VSingleN-ChannelMOSFET	PFC PFC Device Inc.	PFC
PRM020N06E	文件：862.06 Kbytes Page：8 Pages	60VSingleN-ChannelMOSFET	PFC PFC Device Inc.	PFC
RHP020N06	文件：160.69 Kbytes Page：5 Pages	4VDriveNchMOSFET Features 1)LowOn-resistance. 2)Highspeedswitching. 3)WideSOA. Applications Switching	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RHP020N06	文件：228.01 Kbytes Page：5 Pages	4VDriveNchMOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

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