NVMD4N03中文资料Dual N-Channel Power MOSFET 30V, 4A, 60mΩ数据手册ONSEMI规格书
NVMD4N03规格书详情
描述 Description
Automotive Power MOSFET. 30V, 4A, 60 mΩ, Dual N-Channel, S0-8, Logic Level. AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.
特性 Features
• Designed for use in low voltage, high speed switching applications
• Ultra Low On-Resistance Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life
• Miniature SO-8 Surface Mount Package - Saves Board Space
• Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits
• Diode Exhibits High Speed, with Soft Recovery
• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable
• RoHS Compliant
应用 Application
• DC−DC Converters
• Computers
• Printers
• Cellular and Cordless Phones
• Disk Drives and Tape Drives
技术参数
- 制造商编号
：NVMD4N03
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- AEC Qualified
：A
- Halide free
：H
- PPAP Capablee
：P
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Dual
- V(BR)DSS Min (V)
：30
- VGS Max (V)
：20
- VGS(th) Max (V)
：3
- ID Max (A)
：4
- PD Max (W)
：2
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：Q1: 60.0
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：8
- Ciss Typ (pF)
：285
- Package Type
：SOIC-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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