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NVLJD4007NZ数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

NVLJD4007NZ

功能描述

双 N 沟道,小信号门极,ESD 保护,MOSFET,30V,245mA,7Ω

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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NVLJD4007NZ规格书详情

描述 Description

Automotive Power MOSFET. 30V 245mA 7 Ω Dual N-Channel WDFN6 with ESD Protection, Logic Level. AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.

特性 Features

• Optimized Layout for Excellent High Speed Signal Integrity
• Low Gate Charge for Fast Switching
• Small 2x2 mm Footprint
• ESD Protected Gate
• AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable
• RoHS Compliant

应用 Application

• Automotive

技术参数

  • 制造商编号

    :NVLJD4007NZ

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Dual

  • V(BR)DSS Min (V)

    :30

  • VGS Max (V)

    :10

  • VGS(th) Max (V)

    :1.5

  • ID Max (A)

    :0.245

  • PD Max (W)

    :0.755

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :Q1: 7500

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :Q1: 7000

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :0.75

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :0.75

  • Ciss Typ (pF)

    :12.2

  • Package Type

    :WDFN-6

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
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