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NVJD5121NT1G-M06数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

NVJD5121NT1G-M06

功能描述

Dual N−Channel Power MOSFET with ESD Protection 60V, 295mA, 1.6Ω

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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NVJD5121NT1G-M06规格书详情

描述 Description

Automotive Power MOSFET ideal for low power applications. 60V 295mA 1.6 Ω Dual N-Channel SC−88 with ESD Protection, Logic Level. AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.

特性 Features

• Leading Edge Trench Technology for Low RDS(on)
• Automotive Grade and PPAP Capable
• Low Gate Threshold
• Low Input Capacitance
• ESD Protected Gate
• AEC−Q101 Qualified

应用 Application

• Low Side Load Switch
• DC−DC Converters (Buck and Boost Circuits)
• Infotainment systems. Radios. Navigation systems. Clusters

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
24+
NA/
6000
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SC70-6
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