NVJD4401N中文资料双 N 沟道，小信号 MOSFET，带 ESD 防护，20 V，0.63A，375mΩ数据手册ONSEMI规格书
NVJD4401N规格书详情
描述 Description
Automotive Power MOSFET. This N-Channel dual device was designed with a small footprint package (2x2 mm) with ON Semiconductor's leading planar process for small footprint and increased efficiency. AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.
特性 Features
• Small Footprint (2 x 2 mm)
• Low Gate Charge N-Channel Device
• ESD Protected Gate
• Same Package as SC-70 (6 Leads)
• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable
• RoHS Compliant
应用 Application
• Load Power Switching
• Li-Ion Battery Supplied Devices
• DC-DC Conversion
• Cell Phones, Media Players, Digital Cameras, PDAs
技术参数
- 制造商编号
：NVJD4401N
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- AEC Qualified
：A
- Halide free
：H
- PPAP Capablee
：P
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Dual
- V(BR)DSS Min (V)
：20
- VGS Max (V)
：12
- VGS(th) Max (V)
：1.5
- ID Max (A)
：0.63
- PD Max (W)
：0.27
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：Q1=Q2=445
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：Q1=Q2=375
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：-
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：8.6
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：1.3
- Ciss Typ (pF)
：33
- Package Type
：SC-88-6/SC-70-6/SOT-363-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ONSEMI/安森美 |
2450+ |
SOT363 |
9850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
8000 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ON/安森美 |
新年份 |
SC70-6 |
3000 |
原装正品大量现货,要多可发货,实单带接受价来谈! |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
SC886 |
7350 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
3480 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
SOT23 |
9000 |
原装正品,支持实单! |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
SOT-363 |
41186 |
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询价 | ||
ON |
24+ |
SOT23 |
15000 |
原装原标原盒 给价就出 全网最低 |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
标准封装 |
8000 |
原装，正品 |
询价 | ||
ON Semiconductor |
22+ |
SC88/SC706/SOT363 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 |
