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NVH4L080N120SC1	文件：278.05 Kbytes Page：7 Pages	丝印：NVH4L080N120SC1；Package：TO-247-4L；MOSFET ??Power, N-Channel, Silicon Carbide, TO-247-4L 1200 V, 80 m 文件：278.05 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVH4L080N120SC1	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N‐Channel - EliteSiC, 80 mohm, 1200 V, M1, TO247−4L	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTH4L080N120SC1	文件：360.35 Kbytes Page：3 Pages	SiC N-Channel MOSFET FEATURES ·High Speed Switching with Low Capacitances ·High Blocking Voltage with Low On-Resistance ·Easy to Parallel and Simple to Drive APPLICATIONS ·Solar Inverters ·Switch Mode Power Supplies ·High-voltage Capacitive Loads ·Motor drives 文件：360.35 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NTH4L080N120SC1	文件：411.64 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 80mohm, 1200V, M1, TO-247-4L Description Silicon Carbide (SiC) MOSFET uses a completely new technology that provide superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. In addition, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits incl 文件：411.64 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTH4L080N120SC1	文件：409.41 Kbytes Page：8 Pages	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 80 mohm, 1200V, M1, TO-247-4L Description Silicon Carbide (SiC) MOSFET uses a completely new technology that provide superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. In addition, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits incl 文件：409.41 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
1200
VGS Max (V)：
4.3
VGS(th) Max (V)：
25
ID Max (A)：
29
PD Max (W)：
170
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)：
NA
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
NA
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
NA
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
NA
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
NA
Ciss Typ (pF)：
1112
Package Type：
TO-247-4

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更多NVH4L080N120SC1供应商更新时间2025-10-10 16:12:00

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