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NVH4L060N090SC1数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF
NVH4L060N090SC1规格书详情
描述 Description
Silicon Carbide (SiC) MOSFET uses a completely new technology thatprovidesuperiorswitching performanceandhigherreliability compared to Silicon. In addition, the low ON resistance and compact chipsizeensurelowcapacitanceandgatecharge.Consequently, system benefits include highest efficiency, faster operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.
特性 Features
• High Junction Temperature
• 175°C
• 900V Rating
• 100% UIL Tested
• RoHS Compliant
• Qualified for Automotive According to AEC−Q101
应用 Application
• Automotive PFC
• Automotive DC/DC
• Automotive DC/DC converter for EV/PHEV
• Automotive On Board Charger
简介
NVH4L060N090SC1属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的NVH4L060N090SC1晶体管 - FET，MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。
技术参数
更多- 制造商编号
：NVH4L060N090SC1
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- AEC Qualified
：A
- Halide free
：H
- PPAP Capablee
：P
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- Blocking Voltage BVDSS (V)
：900
- ID(max) (A)
：46
- RDS(on) Typ @ 25°C (mΩ)
：60
- Qg Total (C)
：87
- Output Capacitance (C)
：113
- Tj Max (°C)
：175
- Package Type
：TO-247-4
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ON |
23+ |
NA |
6800 |
原装正品,力挺实单 |
询价 | ||
ONSEMI |
两年内 |
NA |
2 |
实单价格可谈 |
询价 | ||
ON |
24+ |
NA |
25000 |
ON全系列可订货 |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
N/A |
18000 |
原装正品现货支持实单 |
询价 | ||
onsemi |
23+ |
TO-247-4L |
1356 |
原厂正品现货SiC MOSFET全系列 |
询价 | ||
ONSEMI |
22 |
SOP12 |
6000 |
全新、原装 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-247-4 |
7814 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
标准封装 |
8000 |
原装，正品 |
询价 |
