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NVGS5120P数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

NVGS5120P

功能描述

单P 沟道功率 MOSFET -60V,-2.9A,111mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 23:00:00

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NVGS5120P规格书详情

描述 Description

Automotive Power MOSFET ideal for low power applications. -60V, -2.9A, 111 mΩ, Single P-Channel, TSOP-6, Logic Level. AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.

特性 Features

• Leading Edge Trench Technology for Low RDS(on)
• System Efficiency Improvement
• 4.5 V Gate Rating
• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable

应用 Application

• Load Switch
• Power Switch for Printer and Communication Equipments
• Low Current Inverter and DC-DC
• Infotainment systems. Radios. Navigation systems. Clusters

技术参数

  • 制造商编号

    :NVGS5120P

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-60

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :-3

  • ID Max (A)

    :-3

  • PD Max (W)

    :1.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :111

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :18.1

  • Ciss Typ (pF)

    :942

  • Package Type

    :TSOP-6

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
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