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NVD6416ANL中文资料N 沟道,功率 MOSFET,100V,19A,74mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

NVD6416ANL

功能描述

N 沟道,功率 MOSFET,100V,19A,74mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-25 23:01:00

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NVD6416ANL规格书详情

描述 Description

Automotive Power MOSFET. 100V, 19A, 74 mΩ, Single N-Channel, DPAK, Logic Level. AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.

特性 Features

• Low RDS(on)
• Minimal conduction losses
• High current capability
• Robust load performance
• 100% avalanche tested
• Voltage overstress safeguard
• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable
• RoHS Compliance

应用 Application

• Motor Control
• UPS Inverter

技术参数

  • 制造商编号

    :NVD6416ANL

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :100

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :2.2

  • ID Max (A)

    :19

  • PD Max (W)

    :71

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :80

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :74

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :20

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :25

  • Ciss Typ (pF)

    :700

  • Package Type

    :DPAK-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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