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NVD6416ANL	文件：260.3 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=19A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=74mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NVD6416ANL	文件：122.14 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET 100 V, 19 A, 74 m	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVD6416ANLT4G	文件：1.49007 Mbytes Page：4 Pages	N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS=100V,ID=18.1A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
NVD6416ANLT4G	文件：122.14 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET 100 V, 19 A, 74 m	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVD6416ANLT4G	文件：84.9 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVD6416ANLT4G-F01	文件：84.9 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
PCA6416A	文件：2.64869 Mbytes Page：42 Pages	Low-voltagetranslating16-bitI2C-bus/SMBusI/Oexpander	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PCA6416A	文件：727.81 Kbytes Page：8 Pages	Smart,simplesolutionsforthe12mostcommondesignconcerns	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PCA6416AEV	文件：2.64869 Mbytes Page：42 Pages	Low-voltagetranslating16-bitI2C-bus/SMBusI/Oexpander	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PCA6416AHF	文件：2.64869 Mbytes Page：42 Pages	Low-voltagetranslating16-bitI2C-bus/SMBusI/Oexpander	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp

详细参数

型号：
NVD6416ANL
功能描述：
MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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