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NVD6416ANL	文件：260.3 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 19A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =74mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：260.3 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NVD6416ANL	文件：122.14 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET 100 V, 19 A, 74 m 文件：122.14 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVD6416ANLT4G	文件：1.49007 Mbytes Page：4 Pages	N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features  VDS= 100V, ID= 18.1 A RDS(ON) 文件：1.49007 Mbytes 页数：4 Pages	Bychip 百域芯	Bychip
NVD6416ANLT4G	文件：84.9 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：84.9 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVD6416ANLT4G	文件：122.14 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET 100 V, 19 A, 74 m 文件：122.14 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVD6416ANLT4G-F01	文件：84.9 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：84.9 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVD6416ANL	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道，功率 MOSFET，100V，19A，74mΩ Automotive Power MOSFET. 100V, 19A, 74 mΩ, Single N-Channel, DPAK, Logic Level. AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications. • Low RDS(on)\n• Minimal conduction losses\n• High current capability\n• Robust load performance\n• 100% avalanche tested\n• Voltage overstress safeguard\n• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable\n• RoHS Compliance;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
100
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
2.2
ID Max (A)：
19
PD Max (W)：
71
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
80
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
74
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
20
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
25
Ciss Typ (pF)：
700
Package Type：
DPAK-3

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