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NVD2955T4G

??0 V, ??2 A, P?묬hannel DPAK

Power MOSFET −60 V, −12 A, P−Channel DPAK This Power MOSFET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. Designed for low−voltage, high−speed switching applications in power supplies, converters, and power motor controls. These devices are particularly well suite

文件:124.5 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NVD2955T4G

Power MOSFET ??0 V, ??2 A, P?묬hannel DPAK

文件:112.72 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NVD2955T4G

P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

文件:987.83 Kbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

NVD2955T4G

Power MOSFET

文件:119.07 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NVD2955T4G

Power MOSFET

文件:88.01 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    NVD2955T4G

  • 制造商:

    ON Semiconductor

  • 功能描述:

    PFET DPAK 60V 12A 180MO - Tape and Reel

  • 功能描述:

    NVD2955 Series P-Channel 60V 155mOhm Power MOSFET

  • 功能描述:

    REEL/PFET DPAK 60V 12A 180MO

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更多NVD2955T4G供应商 更新时间2026-2-6 14:11:00