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NVD5117PLT4G

P-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features VDS=-60V,ID=-50A RDS(ON)

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

NVD5117PLT4G

Power MOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NVD5117PLT4G

??0 V, 16 m, ??1 A, Single P?묬hannel

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

详细参数

  • 型号:

    NVD5117PLT4G

  • 功能描述:

    MOSFET 60V T1 PCH DPAK

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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DPAK
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更多NVD5117PLT4G供应商 更新时间2025-7-23 17:37:00