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NVD5117PLT4G

P-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= -60V, ID= -50A RDS(ON)

文件:889.04 Kbytes 页数:4 Pages

Bychip

百域芯

NVD5117PLT4G

Power MOSFET

文件:81.84 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NVD5117PLT4G

??0 V, 16 m, ??1 A, Single P?묬hannel

文件:146.49 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NVD5865NLT4G

VB
TO-252

VB

NVD5C464NT4G

安森美半导体

安森美半导体

上传:深圳市微纪元电子有限公司

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    NVD5117PLT4G

  • 功能描述:

    MOSFET 60V T1 PCH DPAK

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON
2021+
DPAK
16800
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提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S
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2023+
SMD
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更多NVD5117PLT4G供应商 更新时间2025-10-12 14:04:00