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NV25020DWHFT3G集成电路(IC)存储器规格书PDF中文资料
厂商型号 |
NV25020DWHFT3G |
参数属性 | NV25020DWHFT3G 封装/外壳为8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为集成电路(IC) > 存储器;产品描述:IC EEPROM 2KBIT SPI 10MHZ 8SOIC |
功能描述 | EEPROM Serial 1/2/4-Kb SPI |
文件大小 |
271.81 Kbytes |
页面数量 |
15 页 |
生产厂商 | ON Semiconductor |
企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-6-20 23:00:00 |
NV25020DWHFT3G规格书详情
NV25020DWHFT3G属于集成电路(IC) > 存储器。安森美半导体公司制造生产的NV25020DWHFT3G存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。
产品属性
- 产品编号:
NV25020DWHFT3G
- 制造商:
onsemi
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 系列:
Automotive, AEC-Q100
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 存储器类型:
非易失
- 存储器格式:
EEPROM
- 存储容量:
2Kb(256 x 8)
- 存储器接口:
SPI
- 写周期时间 - 字,页:
4ms
- 电压 - 供电:
2.5V ~ 5.5V
- 工作温度:
-40°C ~ 150°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:
8-SOIC
- 描述:
IC EEPROM 2KBIT SPI 10MHZ 8SOIC
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
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